Публичная Библиотека
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг, авторов произведений и переводов
.

Геннадий Иванович Зебрев 116k

-

()

...доктор технических наук, профессор кафедры микро- и наноэлектроники Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ», специалист в области физики и моделирования наноэлектронных структур и радиационных эффектов в микроэлектронных компонентах.
Автор более 100 статей, нескольких учебных пособий и монографий. Награжден медалью им. М.В. Келдыша Федерации космонавтики за заслуги перед отечественной космонавтикой.
.
. «геннадий иванович зебрев» на страницах библиотеки упоминается 1 раз: .
. .
. .
  • Зебрев Г.И. Физические основы кремниевой наноэлектроники. [Djv- 3.1M] Учебное пособие для вузов. Учебное издание.
    (Москва: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. - Серия «Нанотехнологии»)
    Скан, OCR, обработка, формат Djv: mor, 2014
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава 1. Базисные физические уравнения (5).
      Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии (30).
      Глава 3. Структуры металл - окисел - полупроводник (54).
      Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ (85).
      Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ (105).
      Глава 6. Эффекты сильных электрических полей (129).
      Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ (143).
      Глава 8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе» (159).
      Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий (174).
      Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах (188).
      Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах (210).
      Литература (225).
      Приложения (233).
Аннотация издательства: Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм.
Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».
.