«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Берлин Евгений Владимирович

Евгений Владимирович Берлин 134k

-

()

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
...Генеральный директор ООО «ЭСТО-Вакуум». В 1978 году окончил Воронежский Государственный Университет по специализации «Физика плазмы».
До 1985 года работал в Воронежском НИИПМ, занимался разработкой вакуумного напылительного и плазмохимического оборудования. С 1986 по 1989 года в аспирантуре НИИВТ им. Векшинского разрабатывал установки ионно-плазменного травления. В 1990 г. был одним из организаторов ООО «МЭШ-Плюс», в котором работал главным инженером до 1994 года.
С 1994 года по 2003 год в ЗАО НПП «ТИРС» занимал должность заместителя директора по науке. В 2003 году организовал общество с ограниченной ответственностью «ЭСТО-Вакуум». За годы своей работы опубликовал около 40 статей, посвященных вакуумной технике и технологиям, а в 2007 году совместно с Двининым С.А. и Сейдманом Л.А. выпустил книгу «Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок».
За годы своей работы зарегистрировал несколько патентов на изобретения.
:
Sergege...




  • Берлин Е.В... Вакуумная технология и оборудование для нанесения и травления тонких пленок. [Djv- 1.4M] Авторы: Евгений Владимирович Берлин, Сергей Александрович Двинин, Лев Александрович Сейдман.
    (Москва: Издательство «Техносфера», 2007. - Серия «Мир материалов и технологий»)
    Скан, обработка, формат Djv: Sergege, 2008
    • СОДЕРЖАНИЕ:
      Введение (8).
      Часть 1. НАПЫЛЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК (11).
      Глава 1. Технологические особенности нанесения резистивных слоев (11).
      1.1 Резисторы из силицидов тугоплавких металлов (11).
      1.2. Способы получения резистивных слоев из силицидов тугоплавких металлов (15).
      1.2.1. Термическое испарение из жидкой фазы (15).
      1.2.2. Термическое «взрывное» испарение (16).
      1.2.3. Ионное распыление (16).
      1.2.4. Магнетронное распыление (17).
      Глава 2. Технологические особенности нанесения металлизации ГИС (18).
      2.1. Виды металлизации ГИС (18).
      2.2. Способы получения металлизации ГИС (21).
      2.2.1. Термическое испарение из жидкой фазы (21).
      2.2.2. Электроннолучевое испарение (21).
      2.2.3. Магнетронное распыление (22).
      Глава 3. Устройство магнетронного источника распыления (23).
      3.1. Принцип действия магнетронного источника распыления (23).
      3.2. Особенности вакуумной откачки магнетронных установок (29).
      Литература к главам 1-3 (31).
      Глава 4. Способы получения равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника (32).
      4.1. Влияние соотношения размеров магнетрона и подложки (32).
      4.2. Влияние неоднородности магнитного поля (33).
      4.3. Влияние положения анодов на равномерность толщины пленки (34).
      4.3.1. Влияние расстояния анод - катод (34).
      4.3.2. Влияние анодов, противолежащих поверхности мишени (35).
      4.3.3. Влияние симметрии расположения анодов (36).
      4.4. Дополнительные причины неравномерности при реактивном распылении (38).
      4.4.1. Влияние состояния поверхности анода (38).
      4.4.2. Влияние соотношения длин протяженного магнетрона и рейки подачи реактивного газа (39).
      4.4.3. Выравнивание неоднородностей нанесенной пленки локальной регулируемой подачей азота или аргона (39).
      Литература к главе 4 (40).
      Глава 5. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона (42).
      5.1. Причины пробоев на катоде при реактивном магнетронном распылении (42).
      5.2. Подавление пробоев на катоде с помощью импульсного СЧ ИП (46).
      5.3. Процессы в плазме среднечастотного разряда (48).
      5.4. Влияние импульсного СЧ ИП на скорость осаждения пленки (51).
      5.5. Работа ИП при возникновении дуги (56).
      5.5.1. Способы обнаружения пробоя (56).
      5.5.2. Влияние времени задержки выключения ИП после пробоя на стабильность реактивного процесса напыления (56).
      5.5.3. Влияние времени выключения импульсного СЧ ИП после пробоя на стабильность реактивного процесса напыления (57).
      5.6. Причины пробоев на аноде при реактивном магнетронном разряде и их устранение (58).
      5.6.1. Причины пробоев на аноде. Проблема «исчезающего» анода (58).
      5.6.2 Дуальное магнетронное распыление (59).
      5.6.3. Пакетное импульсное распыление (61).
      5.6.4. Распыление с дополнительным анодом (61).
      Литература к главе 5 (62).
      Глава 6. Магнетронные напылительные установки предприятия ООО «Эсто-Вакуум»
      6.1. Ранее выпускавшиеся магнетронные напылительные установки «Каролина Д-10» и «Каролина Д-10К» (65).
      6.2. Современные магнетронные напылительные установки для нанесения многослойных покрытий (68).
      6.2.1. Установка «Каролина Д-12А» (69).
      6.2.1.1. Рабочая камера установки (69).
      6.2.1.2. Стойка питания и управления (70).
      6.2.2. Установка «Каролина Д-12Б» (71).
      6.2.3. Особенности установки «Каролина Д-12Б1» (72).
      6.2.4. Особенности установки «Каролина Д-12В» (73).
      6.2.5. Технологическое применение описанных магнетронных установок (75).
      6.3. Резюме по напылительным установкам (75).
      Литература к главе 6 (77).
      Глава 7. Технологические особенности нанесения различных слоев на магнетронной установке (78).
      7.1. Технологические особенности нанесения резистивного слоя на магнетронной установке (78).
      7.1.1. Подготовка новой мишени из силицидного сплава к работе (78).
      7.1.2. Особенности проведения процесса нанесения резистивного слоя (79).
      7.1.3. Получение заданной величины поверхностного сопротивления пленки (79).
      7.2.4. Стабилизация поверхностного сопротивления резистивного слоя (80).
      7.2. Технологические особенности нанесения металлизации на магнетронной установке (80).
      Глава 8. Предотвращение появления следов электрических разрядов на металлической пленке, нанесенной с помощью магнетрона (83).
      Литература к главе 8 (89).
      Глава 9. Способы управления процессом реактивного магнетронного распыления с помощью вольтамперных характеристик разряда (90).
      Литература к главе 9 (100).
      Глава 10. Моделирование процесса реактивного нанесения (101).
      Литература к главе 10 (109).
      Глава 11. Получение чередующихся слоев различных диэлектриков на основе кремния в одном процессе на магнетронной установке (110).
      Литература к главе 11 (117).
      Часть 2. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ (118).
      Введение (118).
      Глава 12. Физические процессы и модели высокочастотного разряда низкого давления (121).
      12.1. Баланс заряженных частиц в плазме (123).
      12.2. Баланс энергии электронов в плазме (125).
      Глава 13. Различные способы возбуждения ВЧ поля в плазме (128).
      13.1. Диодный емкостной плазменный реактор (128).
      13.2. Источники на индуктивно связанной плазме (129).
      13.3. Источники на поверхностных волнах (131).
      13.4. Источники на электронном циклотронном резонансе (w = Oe) (132).
      13.5. Источники на геликонах (132).
      Глава 14. Импеданс емкостного ВЧ-разряда низкого давления (133).
      Глава 15. Свойства слоя пространственного заряда (135).
      Глава 16. Возбуждение ВЧ поля в ТСР-разряде (138).
      Глава 17. Распределение плотности электронов в плазме (144).
      Литература к главам 12-17 (146).
      Глава 18. Ранее выпускавшаяся установка для реактивного ионно-плазменного травления «Каролина РЕ-4» (ЭРА-ЗМ, ЭРА-4) (149).
      18.1. Разработка ТСР-источника (150).
      18.2. Устройство установки (151).
      18.3. Рабочая камера установки (152).
      18.3.1 Вакуумная и газовая системы установки (153).
      18.4. Стойка питания и управления установки (154).
      18.5. Работа установки (155).
      18.6. Применение установки в технологии изделий микроэлектроники (157).
      Литература к главе 18 (159).
      Глава 19. Шлюзовая установка плазмохимического травления «Каролина РЕ-11» (160).
      19.1 Устройство установки (160).
      19.2. Работа установки (161).
      19.3. Размещение и монтаж установки (163).
      19.4. Применение установки «Каролина РЕ-11» (163).
      Глава 20. Шлюзовая установка плазмохимического травления «Каролина 15» (165).
      Глава 21. Плазменно-стимулированное осаждение слоев из газовой фазы (PCVD) с применением генератора высокоплотной плазмы типа трансформаторно-связанной плазмы (ТСР) (170).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге обобщено современное состояние одной из отраслей производства изделий электронной техники: вакуумной технологии нанесения и травления тонких пленок. Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок, плазмохимических установок для травления тонких пленок и технологических особенностей их использования. Описаны математические модели, способы управления и примеры использования реактивного магнетронного напыления, принципы построения и применения среднечастотных источников питания для реактивного магнетронного напыления. Приведены теоретические основы и физические принципы конструирования нового типа источника высокочастотного разряда низкого давления для ионного или плазмохимического травления тонких пленок и/или их стимулированного плазмой осаждения.
Книга рассчитана на специалистов научно-исследовательских лабораторий, конструкторских бюро и производственных подразделений предприятий, занимающихся разработкой и изготовлением различных изделий электронной техники и оборудования для их производства.