«И» «ИЛИ»
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Аскеров Бахрам Мехрали оглы (физик)

Бахрам Мехрали оглы Аскеров 357k

-

(05.10.1933 - 12.03.2014)

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
Википедия: Аскеров Бахрам Мехрали оглы (5 октября 1933-12 марта 2014) - советский и азербайджанский физик, академик Национальной академии наук Азербайджана, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий кафедрой физики твердого тела Бакинского государственного университета, лауреат Государственной премии Республики Азербайджан (1974), заслуженный деятель науки. В 2000 году получил почетное звание Заслуженный деятель науки, в 2004 году стал лауреатом ордена «Шохрат».
Родился в селе Ахмедабад Товузского района, Азербайджанская Республика.
В 1957 г. окончил физико-математический факультет Бакинского государственного университета. Учился в аспирантуре в Институте полупроводников в Ленинграде до окончания в 1960 году.
В 1966 г. Б.М. Аскеров стал преподавателем Бакинского государственного университета, с 1971 г. заведующий кафедры физики твердого тела университета, созданной по его инициативе.
Научная деятельность связана с физикой твердого тела. Совместно с А.И. Ансельмом развил квантовую теорию гальваномагнитных явлений в полупроводниках и металлах. Ими был предложен метод вычисления диссипативных термомагнитных токов в квантующих магнитных полях, когда квазиклассическое кинетическое уравнение неприменимо. Б.М. Аскеров обобщил метод матрицы плотности Адамса и Голстейна, лежащий в основе квантовой теории поперечных гальваномагнитных явлений в полупроводниках, на случай узкозонных полупроводников типа антимонида индия. Им была построена теория электронных явлений переноса в квантовых ямах, классических и размерно-квантованных пленках и сверхрешетках. Автор более 150 статей, пяти монографий и семи книг.
В 2009 году удостоен Персональной пенсии Президента Азербайджанской Республики.
:
Вадим Ершов...
...
СПИСОК НЕКОТОРЫХ ИЗДАНИЙ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ:
...



  • Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. [Djv- 6.8M] [Pdf- 5.7M] Автор: Бихрам Мехрали оглы Аскеров. Ответственный редактор: С.С. Шалыт.
    (Ленинград: Издательство «Наука»: Ленинградское отделение, 1970. - Академия наук СССР. Институт полупроводников)
    Скан, обработка, формат Pdf: derevyaha, fire_varan, доработка, формат Pdf: звездочет, 2025
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Введение (5).
      Глава I. Основы зонной теории твердых тел и равновесие носителей тока в полупроводниках (8).
      §1. Движение свободного электрона (10).
      §2. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке (12).
      §3. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна (18).
      §4. Эффективная масса носителей тока (27).
      §5. Структура зон некоторых полупроводников. Различные модели зон 33
      §6. Статистика носителей тока в полупроводниках (40).
      §7. Вычисление химического потенциала в полупроводниках (48).
      Глава II. Кинетическое уравнение и время релаксации (54).
      §8. Феноменологическое определение кинетических эффектов и их взаимная связь (54).
      §9. Кинетическое уравнение (60).
      §10. Решение кинетического уравнения для сферически-симметричной зоны (66).
      §11. Различные механизмы релаксации электронов в полупроводниках (70).
      Глава III. Термоэлектрические явления в полупроводниках (82).
      §12. Подвижность носителей тока в полупроводниках. Электронная часть теплопроводности (82).
      §13. Термоэдс полупроводников с параболической зоной (84).
      §14. Эффект Томсона (86).
      §15. Эффект Пельтье (87).
      Глава IV. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со стандартной зоной (90).
      §16. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (94).
      §17. Примесная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (104).
      §18. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (107).
      §19. Смешанная проводимость. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (111).
      §20. Кинетические эффекты при учете смешанного механизма рассеяния (113).
      Глава V. Гальваномагнитные и термомагнитные эффекты в полупроводниках со сферической нестандартной зоной (124).
      §21. Кинетические эффекты в отсутствие магнитного поля (125).
      §22. Кинетические эффекты в слабом магнитном поле (130).
      §23. Кинетические эффекты в сильном магнитном поле (132).
      §24. Кинетические эффекты в полупроводниках в трехзонном приближении (135).
      §25. Определение основных параметров вырожденных полупроводников (139).
      Глава VI. Кинетические эффекты в полупроводниках со многими минимумами (145).
      §26. Решение кинетического уравнения для эллипсоидальной поверхности постоянной энергии (146).
      §27. Тензоры проводимости германия и кремния (148).
      §28. Анизотропия кинетических эффектов в поперечном магнитном поле (153).
      §29. Анизотропия кинетических эффектов в продольном магнитном поле (156).
      §30. Кинетические эффекты в теллуристом висмуте (161).
      Глава VII. Квантовая теория гальваномагнитных явлений (166).
      §31. Движение электрона в однородном магнитном поле. Уровни Ландау (166).
      §32. Химический потенциал и критерий вырождения электронов проводимости в квантующем магнитном поле (173).
      §33. Поперечное магнетосопротивление. Осцилляции Шубникова - де Гааза (179).
      §34. Поперечное магнетосопротивление в полупроводниках с нестандартной зоной (195).
      §35. Продольное магнетосопротивление в полупроводниках (207).
      §36. Магнетофононные осцилляции в полупроводниках (213).
      Глава VIII. Квантовая теория термомагнитных явлений (232).
      §37. Продольные термомагнитные эффекты в полупроводниках в квантующем магнитном поле (233).
      §38. Термоэдс в поперечном квантующем магнитном поле (238).
      §39. Квантовая теория эффекта Нернста - Эттингсгаузена в полупроводниках (244).
      Приложение А (258).
      Приложение Б1 (259).
      Приложение Б2 (260).
      Приложение В (261).
      Приложение Г. 2С2
      Приложение Д (270).
      Литература (292).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Излагается современная теория гальваномагнитных и термомагнитных явлений в полупроводниках. Рассмотрены случаи параболической и непараболической зон, а также зоны со многими минимумами. В книге большое место занимает квантовая теория кинетических эффектов. Учитывается влияние непараболичности зоны проводимости на кинетические эффекты в квантующем магнитном поле. Подробно излагаются основные выводы теории осцилляции Шубникова - де Гааза и магнитофононной осцилляции. Развита квантовая теория эффекта Нернста-Эттингсгаузена. В отличие от существующих книг, посвященных кинетической теории полупроводников, здесь изложены классическая и квантовая теории гальваномагнитных и термомагнитных явлений, охвачены все практически важные модели энергетических зон. Библ. - 365 назв., илл. - 25, табл. - 11.
  • Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. [Djv- 8.4M] [Pdf- 6.8M] Автор: Бахрам Махрали оглы Аскеров.
    (Москва: Издательство «Наука»: Главная редакция физико-математической литературы, 1985)
    Скан: ???, обработка, формат Pdf: derevyaha, fire_varan, доработка, формат Pdf: звездочет, 2025
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (5).
      Глава 1. Энергетический спектр носителей тока в полупроводниках (7).
      §1. Движение электрона в идеальной кристаллической решетке (7).
      §2. Энергетические зоны в твердых телах. Зоны Бриллюэна (10).
      §3. Структура краев энергетических зон некоторых полупроводников. Основные модели зон (15).
      Глава 2 Статистика носителей заряда в полупроводниках (32).
      §4. Концентрация электронов в зоне проводимости и уровень Ферми. Зависимость эффективной массы от концентрации (32).
      §5. Статистика носителей заряда в собственных полупроводниках и полуметаллах (46).
      §6. Статистика носителей заряда в примесных полупроводниках (52).
      Глава 3. Решение кинетического уравнения. Механизмы рассеяния (67).
      §7. Феноменологическое определение кинетических коэффициентов и их взаимная связь (67).
      §8. Кинетическое уравнение и условия его применимости (71).
      §9. Решение кинетического уравнения для произвольной сферически-симметричной зоны в приближении времени релаксации (78).
      §10. Рассеяние носителей заряда в полупроводниках с произвольной изотропной зоной. Примесное рассеяние (89).
      §11. Рассеяние носителей заряда на фононах в полупроводниках с произвольной изотропной зоной (100).
      §12. Теория рассеяния носителей заряда в полупроводниках с учетом блоховских волновых функций (123).
      Глава 4. Электронные явления переноса в полупроводниках с изотропной зоной (136).
      §13. Общие выражения основных кинетических коэффициентов (136).
      §14. Явления переноса в отсутствие магнитного поля (141).
      §15. Явления переноса в магнитном поле (156).
      §16. Явления переноса в полупроводниках типа p-Ge (187).
      §17. Увлечение носителей заряда фононами в полупроводниках с произвольной изотропной зоной (197).
      Глава 5. Явления переноса в полупроводниках с анизотропной ненараболической зоной. Анизотропное рассеяние (206).
      §18. Решение кинетического уравнения для анизотропной зоны в приближении тензора времени релаксации (207).
      §19. Тензоры проводимости в полупроводниках с анизотропным закопом дисперсии (210).
      §20. Основные кинетические эффекты в кубических полупроводниках с анизотропным законом дисперсии (214).
      Глава 6. Явления переноса в квантующих магнитных полях (223).
      §21. Энергетический спектр и статистика носителей заряда в квантующих магнитных полях (224).
      §22. Гальваномагнитные явления в квантующем магнитном поле (243).
      §23. Термомагнитные явления в поперечном квантующем магнитном поле (262).
      Глава 7. Электронные явления переноса в полупроводниковых пленках. Размерные эффекты (278).
      §24. Решение кинетического уравнения в пленках с учетом граничных условий (278).
      §25. Явления переноса в пленках с произвольным изотропным законом дисперсии (285).
      §26. Квантовые размерные эффекты (294).
      Список литературы (310).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются, как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей.