«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Аронов Вадим Львович

Вадим Львович Аронов 49k

-

()

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
.
:
...




  • Аронов В.Л... Испытание и исследование полупроводниковых приборов. [Djv- 5.3M] Учебное пособие для специальностей полупроводниковой техники вузов. Авторы: В.Л. Аронов, Я.А. Федотов.
    (Москва: Издательство «Высшая школа», 1975)
    Скан, обработка, формат Djv: pohorsky, 2015
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Введение (4).
      Глава I. Основные принципы и методы измерения электрических параметров полупроводниковых приборов (11).
      Глава II. Оценки погрешности измерения параметров полупроводниковых приборов (33).
      Глава III. Измерение статических параметров полупроводниковых приборов (00).
      Глава IV. Измерение параметров эквивалентных двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала (89).
      Глава V. Измерение параметров эквивалентных схем полупроводниковых приборов (123).
      Глава VI. Измерение импульсных параметров полупроводниковых приборов (179).
      Глава VII. Исследования и измерение шумовых параметров полупроводниковых приборов (210).
      Глава VIII. Исследования и контроль тепловых характеристик полупроводниковых приборов (232).
      Глава IX. Измерение параметров генераторных высокочастотных полупроводниковых приборов (252).
      Глава X. Испытания полупроводниковых приборов на надежность (272).
      Глава XI. Особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования для полупроводниковых приборов (305).
      Литература (320).
ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге изложены основные принципы и методы измерения параметров полупроводниковых приборов; дана оценка погрешностей измерения параметров; описаны методы измерения статических параметров, параметров двухполюсника и четырехполюсника с помощью малого сигнала, импульсных параметров, шумовых и тепловых параметров, параметров высокочастотных полупроводниковых приборов и др.; приведены особенности конструирования измерительного и испытательного оборудования.