«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Ансельм Андрей Иванович (физик-теоретик)

Андрей Иванович Ансельм 323k

-

(18.05.1905 - 13.08.1988)

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
Википедия: Андрей Иванович Ансельм (нем. Anselm) (5 (18) мая 1905 года, Одесса - 13 августа 1988 года, Ленинград) - советский физик-теоретик, доктор физико-математических наук (1943), профессор.
Заведующий теоретическим отделом Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе АН СССР. Заведующий кафедрой теоретической физики Ленинградского политехнического института (1952-1956).
Происходит из семьи одесских купцов и землевладельцев. Родоначальник Российской ветви Ансельмов (Анзельмов) прибыл в Одессу из Германии в 1817 году и занялся виноделием, а позже - пивоварением. Спустя годы его потомки владели уже пивоваренными заводами в Одессе, а также несколькими поместьями в Одесской губернии и Белоруссии.
Отец Андрея Ансельма - потомственный почетный гражданин, инженер Иван Адамович Ансельм (1873-1944), окончил в 1903 году химическое отделение Рижского политехнического института и до революции работал технологом на одном из пивоваренных заводов Одессы, затем, в 20-е годы по протекции своего родственника Василия Ивановича Ансельма занял должность технолога Дорогомиловского (Трехгорного) пивоваренного завода в Москве.
Среднее образование Андрей Ансельм получил в Одесском реальном училище Святого Павла, куда поступил в 1913 году. Заканчивал он его уже в 1922 году как немецкую трудовую школу №38.
В 1923 году А.И. Ансельм поступил в Одесский институт народного образования, который был открыт в 1920 году на базе бывшего Женского института, Фребелевских курсов и части кафедр Новороссийского университета для подготовки педагогических кадров. Через год, уже после окончания Гражданской войны он перевелся на физический факультет Ленинградского университета, который окончил в 1930 году.
В 1929-1930 гг. А.И. Ансельм проходил преддипломную стажировку, а затем до 1934 года работал инженером-исследователем в вакуумной лаборатории Ленинградского завода «Светлана», где под руководством будущего академика АН СССР П.И. Лукирского занимался теорией газового разряда и термоэлектронной эмиссии. Его коллегами по лаборатории оказались будущие академик А.И. Шальников и член-корр. АН СССР Г.А. Гринберг.
С окончанием университета работу в лаборатории на заводе А.И. Ансельм успешно совмещал с педагогической деятельностью. В 1930 году он был принят сверхштатным преподавателем на физико-механический факультет Ленинградского политехнического института (ЛПИ), где с 1933 года на кафедре теоретической механики начал чтение курса по квантовой механике.
В 1934 году Андрей Иванович получил приглашение в Ленинградский университет старшим научным сотрудником теоретического отдела физического института и одновременно ассистентом кафедры теоретической физики. Здесь в 1938 году А.И. Ансельм по совокупности научных работ был утвержден в ученой степени кандидата физико-математических наук и звании доцента кафедры теоретической физики академика В.А. Фока.
Вскоре после начала Великой Отечественной войны некоторые лаборатории и институты университета, включая физический, решением Советского правительства должны были эвакуироваться в Казань. Первый эшелон отправился 19 июля 1941 года. Уже в пути он был перенаправлен в Елабугу. Здесь вместе в семьей А.И. Ансельм и оказался в конце лета 1941 года. Филиал университета расположился в здании Учительского института. Здесь Андрей Иванович проработал до декабря 1942 года, когда, по официальным сведениям, был командирован в эвакуированный из Ленинграда в Казань Физико-технический институт (ЛФТИ). В действительности дело обстояло сложнее. По свидетельству близких, А.И. Ансельм как этнический немец оказался в списках лиц, подлежащих мобилизации (на самом деле, изоляции) в Трудовую армию системы НКВД СССР. Тогда положение спас будущий президент Академии наук СССР А.П. Александров, который организовал командировку, а по существу перевод Андрея Ивановича в казанский филиал ЛФТИ.
В Казани, в апреле 1943 года А.И. Ансельм защитил докторскую диссертацию «Электрические и электрооптические явления в жидкостях и взаимодействие молекул». Его оппонентами были И.Е. Тамм, Я.И. Френкель и А.П. Александров. Одновременно с защитой диссертации Андрей Иванович был зачислен в штат ЛФТИ на должность старшего научного сотрудника. В 1945 году Физтех вернулся в Ленинград, где в мае 1947 года академик А.Ф. Иоффе назначил А.И. Ансельма заведующим лабораторией молекулярных явлений и одновременно на три года возложил на него обязанности ученого секретаря ЛФТИ. Год спустя Андрей Иванович был утвержден в ученом звании профессора по специальности «теоретическая физика». Начиная с 1946 года, научную работу в ЛФТИ он успешно совмещал с преподавательской, возобновив ее в качестве сверхштатного профессора на кафедре теоретической физики ЛПИ, руководимой Я.И. Френкелем.
В начале 50-х годов А.И. Ансельм возглавил теоретический отдел ЛФТИ, где сразу создал сектор теории ядра и элементарных частиц, руководство которым было возложено на профессора И.М. Шмушкевича. Впоследствии этот сектор вырос в самостоятельный теоретический отдел Ленинградского института ядерной физики им. Б.П. Константинова, возглавляемый член-корр. АН СССР В.Н. Грибовым, а позже сыном Андрея Ивановича - А.А. Ансельмом.
После кончины Я.И. Френкеля в январе 1952 года А.И. Ансельм, оставаясь сверхштатным профессором, занял его должность заведующего кафедрой теоретической физики ЛПИ. На этом посту он пробыл четыре года. Предпосылки к уходу из ЛПИ стали складываться еще в 1950 году.
Тогда, в ходе кампании по борьбе с космополитизмом академик А.Ф. Иоффе был освобожден от должности директора ЛФТИ. Однако действительного члена Академии Наук СССР полностью изолировать от научной деятельности было невозможно, поэтому Абраму Федоровичу было дозволено организовать в Ленинграде Лабораторию полупроводников. Уже после смерти И.В. Сталина лаборатория была преобразована в Институт полупроводников АН СССР. По приглашению А.Ф. Иоффе в 1955 году А.И. Ансельм, оставив ЛФТИ, перешел в Институт полупроводников на должность заведующего лабораторией теоретической физики. Вскоре Андрей Иванович был вынужден сложить с себя и обязанности заведующего кафедрой теоретической физики ЛПИ для того, чтобы полностью сосредоточиться на новой работе. Постепенно теоретический отдел под его руководством вырос и стал ведущим центром в СССР по теории полупроводников.
Лишь спустя почти 10 лет у Андрея Ивановича возникла возможность вернуться к преподавательской деятельности. С 1964 по 1968 гг. в качестве сверхштатного профессора он преподавал статистическую физику и термодинамику в Ленинградском университете.
После слияния в 1972 году Института полупроводников с ЛФТИ, А.И. Ансельм вновь оказался в штате физтеха. Но теперь, в связи с достижением предельного возраста, установленного для руководителей, - в роли старшего научного сотрудника. С 1977 года он занимал почетную должность профессора-консультанта сектора теории полупроводников (зав. сектором Ю.А. Фирсов) в теоретическом отделе ЛФТИ.
Профессор Андрей Иванович Ансельм скончался в 1988 году в Ленинграде и был похоронен на Серафимовском кладбище.
:
derevyaha, fire_varan, звездочет...




  • Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. [Djv-Fax-11.1M] [Pdf-Fax-14.8M] Автор: Андрей Иванович Ансельм.
    (Москва - Ленинград: Государственное издательство Физико-математической литературы (Физматгиз), 1962)
    Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan; доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2025
    • ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (7).
      Глава I. Геометрия кристаллических решеток и дифракция рентгеновских лучей (9).
      §1. Простые и сложные кристаллические решетки (9).
      §2. Примеры конкретных кристаллических структур (16).
      §3. Прямая и обратная решетки кристалла (21).
      §4. Формулы Лауэ и Вульфа - Брегга для дифракции рентгеновских лучей в кристалле. Атомный и структурный факторы рассеяния (26).
      Глава II. Природа сил взаимодействия атомов в кристаллах (32).
      §1. О взаимодействии между атомами и ионами (32).
      §2. Ионные и ван-дер-ваальсовские кристаллы (42).
      §3. Атомные кристаллы и металлы (47).
      Глава III. Колебания атомов кристаллической решетки (51).
      §1. Колебания и волны в одномерной (линейной) решетке из одинаковых атомов (51).
      §2. Колебания и волны в сложной одномерной (линейной) кристаллической решетке (57).
      §3. Нормальные координаты для простой одномерной решетки (63).
      §4. Колебания атомов трехмерной сложной кристаллической решетки (66).
      §5. Нормальные колебания трехмерной решетки (78).
      §6. Теплоемкость кристаллической решетки (87).
      §7. Уравнение состояния твердого тела (97).
      §8. Фононы (100).
      §9. Тепловое расширение и теплопроводность твердого тела (103).
      Глава IV. Электроны в идеальном кристалле (108).
      §1. Общая постановка задачи. Адиабатическое приближение (108).
      §2. Метод Хартри - Фока (111).
      §3. Методы Гайтлера - Лондона - Гейзенберга (ГЛГ) и Гунда - Мулликена - Блоха (ГМБ) в электронной теории кристаллов (119).
      §4. Общие свойства электрона, движущегося в периодическом поле (122).
      §5. Понятие о положительных дырках почти заполненной валентной зоны (135).
      §6. Приближение почти свободных (слабо связанных) электронов. Зоны Бриллюэна (139).
      §7. Приближение сильно связанных электронов (151).
      §8. Структура энергетических зон для ряда конкретных полупроводников (167).
      Глава V. Локализованные состояния электронов в кристалле (173).
      §1. Движение электрона в возмущенном периодическом поле (метод эффективной массы) (173).
      §2. Локализованные состояния электрона в неидеальной решетке (178).
      §3. Экситоны (184).
      §4. Поляроны (191).
      Глава VI. Электрические, тепловые и магнитные свойства твердых тел (199).
      §1. Металлы, диэлектрики и полупроводники (199).
      §2. Статистическое равновесие свободных электронов в полупроводниках и металлах (201).
      §3. Теплоемкость свободных электронов в металлах и полупроводниках (213).
      §4. Магнитные свойства вещества. Парамагнетизм газов и электронов проводимости в металлах и полупроводниках (216).
      §5. Диамагнетизм атомов и электронов проводимости. Магнитные свойства полупроводников (225).
      §6. Циклотронный (диамагнитный) резонанс (236).
      §7. Контакт полупроводника с металлом. Выпрямление (245).
      §8. Свойства p-n-переходов (253).
      Глава VII. Кинетическое уравнение и время релаксации для электронов проводимости в кристаллах (261).
      §1. Явления переноса и кинетическое уравнение Больцмана (261).
      §2. Кинетическое уравнение для электронов в кристалле (270).
      §3. Рассеяние электронов на колебаниях решетки в атомном кристалле (274).
      §4. Время релаксации электронов проводимости в атомном полупроводнике и металле (279).
      §5. Теория деформационного потенциала в кубических кристаллах с простой зонной структурой (283).
      §6. Время релаксации электронов проводимости в ионных кристаллах (288).
      §7. Рассеяние электронов проводимости на заряженных и нейтральных атомах примесей (294).
      Глава VIII. Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках (300).
      §1. Введение (300).
      §2. Определение неравновесной функции распределения для электронов проводимости в случае сферической формы поверхностей постоянной энергии. Электропроводность атомных невырожденных полупроводников (301).
      §3. Термоэлектрические явления в атомных невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой (307).
      §4. Гальваномагнитные явления в атомных невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой (316).
      §5. Термомагнитные явления в атомных невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой (324).
      §6. Кинетические явления в невырожденных полупроводниках с простой зонной структурой при разных механизмах рассеяния (328).
      §7. Кинетические явления в полупроводниках с простой зонной структурой при произвольном вырождении (340).
      §8. Кинетические явления в полупроводниках со сложной зонной структурой (347).
      §9. Эффект «фононного увлечения» в полупроводниках (367).
      Приложения (375).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Настоящая книга предназначена в первую очередь для лиц, занятых экспериментальными исследованиями в области физики полупроводников. Она, вероятно, окажется полезной и для студентов физических специальностей.
Основное внимание в книге уделено вопросам колебаний кристаллической решетки, законам движения электрона в идеальном и возмущенном периодических полях, кинетическому уравнению и явлениям переноса (прохождению тока).