«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Агаханян Татевос Мамиконович

Татевос Мамиконович Агаханян 432k

-

(13.08.1924 - 14.07.2011)

  ◄  СМЕНИТЬ  ►  |▼ О СТРАНИЦЕ ▼
▼ ОЦИФРОВЩИКИ ▼|  ◄  СМЕНИТЬ  ►  
Википедия: Татевос Мамиконович Агаханян (13 августа 1924 года, г. Аштарак Армянской ССР - 14 июля 2011 года) - доктор технических наук, заслуженный деятель науки и техники РФ, заведующий кафедрой Электроники (1965-1991), ветеран Великой Отечественной войны. Почетный профессор МИФИ.
Родился в г. Аштараке в 1924 году. С отличием закончил среднюю школу в Ленинакане.
В 1941 году, будучи студентом первого курса механико-математического факультета Ереванского государственного университета, был направлен в Тбилисское горно-артиллерийское училище, после обучения в котором Татевос отправился на Северо-Кавказский фронт. Потом воевал на Степном фронте, которым командовал маршал Конев, в составе 15-й Гвардейской дивизии; участвовал в битве на Курской дуге, в боях под Ленинградом, дважды был ранен.
Закончил войну в г. Летавы (Лиепае), Курляндия, в звании старшего лейтенанта.
После демобилизации учился в МЭИ. Татевос Мамиконович с отличием окончил МИФИ в 1952 году. После выпуска он остался работать на кафедре Электроники, где проработал 26 лет.
1957 год - защитил кандидатскую диссертацию,
1967 год - защитил докторскую диссертацию.
С 1965 г. возглавлял кафедру Электроники.
Т.М. Агаханян - основоположник ключевых курсов, читавшихся на кафедре.
Скончался после тяжелой непродолжительной болезни 14 июля 2011 года...
:
...




  • Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. [Djv- 7.3M] Учебное пособие для вузов. Автор: Татевос Мамиконович Агаханян.
    (Москва: Энергоатомиздат, 1983)
    Скан, OCR, обработка, формат Djv: AlVaKo, 2019
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Часть первая. ОСОБЕННОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ИХ ЭЛЕМЕНТОВ (5).
      Глава первая. Интегральные микросхемы и их элементы (5).
      Глава вторая. Модели элементов интегральных микросхем (29).
      Часть вторая. АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (63).
      Глава третья. Элементы аналоговых интегральных микросхем (63).
      Глава четвертая. Апериодические и избирательные усилители (123).
      Глава пятая. Интегральные операционные усилители (156).
      Часть третья. ЦИФРОВЫЕ И НЕЛИНЕЙНЫЕ ИМПУЛЬСНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ (203).
      Глава шестая. Электронные ключи в интегральных микросхемах (203).
      Глава седьмая. Логические интегральные микросхемы (253).
      Глава восьмая. Интегральные триггерные системы (351).
      Глава девятая. Интегральные компараторы напряжении (408).
      Глава десятая. Формирование и генерирование импульсов на интегральных микросхемах (434).
      Список литературы (460).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Рассмотрены особенности монолитных и гибридных интегральных микросхем (1$МС) и их элементов Дано описание основных ячеек аналоговых ИМС (повторителей напряжения, усилителей низкой частоты, видеоусилителей и др). Подробно рассмотрены операционные усилители общего и специального назначения Рассмотрены основные типы цифровых ИМС на биполярных и униполярных транзисторах и построенные на их основе триггерные системы Дано описание интегральных компараторов напряжений. Приведены монолитные и гибридные релаксационные ИМС.
Для студентов вузов и аспирантов, специализирующихся по радиоэлектронике, приборостроению, автоматике, вычислительной технике.
  • Агаханян Т.М. Линейные импульсные усилители. [Djv- 6.5M] Монография. Автор: Татевос Мамиконович Агаханян. Художник Г.Р. Левин.
    (Москва: Издательство «Связь», 1970)
    Скан, обработка, формат Djv: pohorsky, 2016
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Список основных обозначений (5).
      Глава первая. Основные характеристики и методы анализа импульсных усилителей (13).
      Глава вторая. Обратные связи в усилителях (52).
      Глава третья. Режим усилительного каскада (88).
      Глава четвертая. Усилительные каскады (113).
      Глава пятая. Характеристики простейших каскадов в области низших частот и больших времен (161).
      Глава шестая. Усилительные каскады в области высших частот и малых времен (181).
      Глава седьмая. Многокаскадные усилители (231).
      Глава восьмая. Уменьшение линейных искажений в области малых времен (249).
      Глава девятая. Уменьшение линейных искажений в области больших времен (303).
      Глава десятая. Усилительные секции с обратной связью (337).
      Глава одиннадцатая. Выходные каскады импульсных усилителей (378).
      Глава двенадцатая. Расчет импульсных усилителей (417).
      Литература (464).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Монография посвящена систематическому изложению основных вопросов теории и расчета транзисторных и ламповых схем линейных импульсных усилителей. Особое внимание уделено транзисторным усилителям. В книге излагается теория усилителей с обратной связью, на основе которой анализируются различные схемы импульсных усилителей. Рассматривается влияние температурной нестабильности и разброса параметров элементов схемы на режим каскадов и анализируются практические схемы стабилизации режима. Приводятся основные характеристики простейших каскадов в области средних, низших и высших частот. Дается анализ многокаскадных усилителей. Рассматриваются способы уменьшения искажений фронта и плоской вершины при помощи корректирующих элементов и цепей обратной связи. Указываются особенности выходных каскадов и рассматриваются методы увеличения выходного напряжения. Излагается методика полного электротехнического расчета импульсных усилителей. Книга рассчитана на инженерно-технических работников. Она может быть полезна студентам и аспирантам радиотехнических специальностей.
  • Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. [Djv- 6.2M] Автор: Татевос Мамиконович Агаханян.
    (Москва: Издательство «Энергия», 1974)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky, 2014
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава первая. Полупроводники и их электрофизические свойства (5).
      Глава вторая. Электронные процессы в полупроводниковых кристаллах (18).
      Глава третья. Электронно-дырочный переход (45).
      Глава четвертая. Биполярные транзисторы (91).
      Глава пятая. Эквивалентные схемы и параметры биполярных транзисторов (146).
      Глава шестая. Полевые транзисторы (208).
      Основные обозначения (247).
      Список литературы (251).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств.
Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры.
  • Агаханян Т.М. Электронные ключи и нелинейные импульсные усилители. [Djv- 5.7M] Автор: Татевос Мамиконович Агаханян. Обложка художника Б.К. Шаповалова.
    (Москва: Издательство «Советское радио», 1966)
    Скан: AAW, обработка, формат Djv: pohorsky, 2017
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие (3).
      Глава первая. Электронные ключи (7).
      Глава вторая. Ограничители амплитуды импульсов (160).
      Глава третья. Усилители-формирователи коротких импульсов (238).
      Глава четвертая. Регенеративные импульсные усилители (279).
      Глава пятая. Усилители-расширители (333).
      Литература (352).
ИЗ ИЗДАНИЯ: Книга посвящена теории и расчету электронных ключей и нелинейных импульсных усилителей на транзисторах и лампах. Особое внимание уделено сравнительно мало освещенным в литературе транзисторным схемам. Анализируются статические и переходные характеристики ключевых схем на электронных приборах - на лампе, транзисторе и полупроводниковом диоде. Рассматриваются методы определения средних параметров ключевых элементов. Дается анализ и расчет диодных ограничителей амплитуды импульсов, транзисторных и ламповых усилителей-ограничителей. Рассматриваются схемы транзисторных усилителей с токоограничивающей цепью и нелинейной обратной связью. Освещаются вопросы теории и расчета ламповых и транзисторных схем, предназначенных для усиления и формирования кратковременных импульсов. Рассматриваются схемы регенеративных импульсных усилителей с трансформаторной обратной связью. Приводятся схемы усилителей-расширителей.
Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой электронных приборов, элементов вычислительных устройств, вопросами телеметрии, автоматики, а также на студентов и аспирантов, специализирующихся по радиоэлектронике.