«Общественный институт» (серия)

общественный институт на страницах библиотеки упоминается 5 раз:

* «Общественный институт» (серия)
* Литература. Универсальная: Серии, сборники
* Мухин Юрий Игнатьевич
* Николаевский Иосиф Федорович
* Шустов Михаил Анатольевич

* Gerlovin_I.L...__Gal'vanomagnitnye_effekty_i_ih_ispol'zovanie.(1967).[djv-fax].zip
* Ryjov_A.S.__Shumy_tranzistorov.(1964).[djv-fax].zip
* Sudakov_Yu.I.__Amplitudnaya_modulyaciya_tranzistornyh_generatorov.(1966).[djv-fax].zip
* Vapne_G.M...__Termostabilizaciya_tranzistprnyh_ustroystv.(1965).[djv-fax].zip

Архив этой страницы:

Список некоторых изданий (групп изданий), текстографии сборников, литература:

* Вапнэ Г.М... Термостабилизация транзисторных устройств. (1965)
* Герловин И.Л... Гальваномагнитные эффекты и их использование. (1967)
* Рыжов А.С. Шумы транзисторов. (1964)
* Судаков Ю.И. Амплитудная модуляция транзисторных генераторов. (1966)

Описания некоторых изданий:

Ⓐ ⒸВапнэ Г.М... Термостабилизация транзисторных устройств. [Djv-Fax- 936k] Авторы: Г.М. Вапнэ, П.И. Шаповаленко.
(Москва, 1965. - Центральное правление научно-технического общества приборостроительной промышленности. Серия «Общественный институт. Заочные курсы усовершенствования ИТР по применению полупроводников в приборах»)
Скан, OCR, обработка, формат Djv-Fax: Dmitry7, 2015

СОДЕРЖАНИЕ:
Введение (3).
1. Физические основы влияния температуры на свойства полупроводников (4).
2. Температурная зависимость параметров транзисторов (6).
3. Методы термостабилизации режима устройств на транзисторах (11).
4. Методы термокомпенсации схем на транзисторах (27).
5. Примеры расчета схем стабилизации и компенсации (39).
Вопросы для самопроверки (43).
Литература (43).

ИЗ ИЗДАНИЯ: ...

Ⓐ ⒸГерловин И.Л... Гальваномагнитные эффекты и их использование. [Djv-Fax- 2.2M] Авторы: И.Л. Герловин, В.С. Двас, М.И. Лихницкий.
(Москва, 1967. - Центральное правление научно-технического общества приборостроительной промышленности. Серия «Общественный институт. Заочные курсы усовершенствования ИТР по применению полупроводников в приборах»)
Скан, OCR, обработка, формат Djv-Fax: Dmitry7, 2015

СОДЕРЖАНИЕ:
Предисловие (4).
Введение (5).
I. Типы и свойства гальваномагнитных датчиков (5).
1. Основные свойства полупроводников (5).
2. Гальваномагнитные эффекты (10).
3. Датчики э.д.с. Холла (13).
4. Датчики эффекта Гаусса (23).
5. Перспективы дальнейшего изучения и использования гальваномагнитных эффектов в полупроводниках (31).
II. Приборы и устройства с гальваномагнитными датчиками (35).
1. Области применения гальваномагнитных датчиков (35).
2. Некоторые сведения о технологии изготовления гальваномагнитных датчиков (37).
3. Измерители; напряженности магнитного поля и его топографии (41).
4. Измерители; параметров постоянного тока (45).
5. Измерители параметров цепи переменного тока (48).
6. Измерители неэлектрических величин (52).
7. Элементы счетно-решающих устройств (55).
8. Преобразователи постоянного тока в переменный (60).
9. Головки, воспроизводящие магнитную запись (62).
Заключение (66).
Вопросы для самопроверки (68).
Литература (69).
Переводная таблица. Соотношения обозначений, принятых в тексте и в СИ (71).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Книга содержит лекцию по гальваномагнитным датчикам и их применению. В первом разделе лекции рассмотрены некоторые вопросы физики полупроводников, гальваномагнитные эффекты и датчики, их реализующие, второй раздел посвящен различным областям использования гальваномагнитных датчиков.
Книга рассчитана на инженеров и техников, работающих в приборостроительной промышленности.
В лекции собраны все основные сведения по данному вопросу, при этом особое внимание уделено конкретным рекомендациям и справочным данным, которые могут потребоваться в процессе практической работы с гальваномагнитными датчиками.
Авторами в тексте использованы распространенные и общепринятые в настоящее время в технической литературе система обозначений физических величин и их размерности,. Но, кроме того, в конце лекции приведена таблица с переводом в обозначения, принятые в системе СИ.

Ⓐ ⒸРыжов А.С. Шумы транзисторов. [Djv-Fax- 861k]
(Москва, 1964. - Центральное правление научно-технического общества приборостроительной промышленности. Серия «Общественный институт. Заочные курсы усовершенствования инженерно-технических работников по применению полупроводников в приборах»)
Скан, OCR, обработка, формат Djv-Fax: Dmitry7, 2015

СОДЕРЖАНИЕ:
I. Общие шумовые свойства полупроводниковых диодов и бездрейфовых плоскостных транзисторов (3).
1. Основные составляющие шума полупроводниковых диодов и бездрейфовых плоскостных транзисторов (3).
2. Дробовой шум полупроводниковых диодов (7).
3. Дробовой шум бездрейфовых плоскостных транзисторов. Шумовая эквивалентная схема (12).
II. Исследование шумовых свойств дрейфовых транзисторов. Коллективный метод (16).
1. Анализ процессов в полупроводниковых приборах на основе аналогии с системой с распределенными параметрами. Общие соотношения (16).
2. Исследование шумовых свойств полупроводниковых приборов коллективным методом (19).
III. Коэффициент шума транзисторов (24).
1. Расчет коэффициента шума на основе моделирующей схемы (24).
2. Пути уменьшения коэффициента шума (34).
Выбор схемы (34).
Влияние сопротивления источника сигнала (35).
Влияние режима (37).
Влияние частоты (38).
Заключение (38).
Вопросы для самопроверки (39).
Литература (39).

ИЗ ИЗДАНИЯ: ...