Гершунский Борис Семенович (ученый-педагог)

Борис Семенович Гершунский 661k

-

(19.01.1935 - 10.12.2003)

...педагог, один из учредителей и академик РАО (1992), доктор педагогических наук (1982), профессор (1989). Окончил Киевский политехнический институт (1957). Преподавал в Киевском техникуме радиоэлектроники. В 1982-84 научный сотрудник НИИ педагогики УССР. С 1984 в НИИ общей педагогики АПН СССР (ныне Институт теории образования и педагогики РАО; в 1992-94 дир.)
С 70-х гг. разрабатывал проблемы теории и методологии прогностики как направления педагогических исследований, обосновал основные направления и этапы разработки педагогических прогнозов, их методы и приемы.
Автор программ и учебных пособий по электронике для системы общего среднего образования. В сфере интересов Г. вопросы теории и практики непрерывного образования, философии образования. Участник разработки программ развития образования в России.

:
AAW, derevyaha, fire_varan, pohorsky...

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

борис семенович гершунский на страницах библиотеки упоминается 1 раз:

* Гершунский Борис Семенович (ученый-педагог)

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Архив этой страницы:

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Список некоторых изданий (групп изданий), текстографии сборников, литература:

* Гершунский Б.С... Лабораторный практикум по основам электронной и полупроводниковой техники. (1974) Учебное пособие
* Гершунский Б.С... Справочник по основам электронной техники. (1978)
* Гершунский Б.С... Шахматы - школе. (1991) Научно-популярное издание
* Гершунский Б.С. Основы электронной и полупроводниковой техники. (1967)
* Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. (1983)

РАЗВЕРНУТЬ ►

◄ СВЕРНУТЬ

Описания некоторых изданий:

▼

▲

Ⓐ ⒸГершунский Б.С... Лабораторный практикум по основам электронной и полупроводниковой техники. [Djv-Fax- 8.8M] [Pdf-Fax-12.1M] Учебное пособие для техникумов. Издание 2-е, переработанное и дополненное. Авторы: Борис Семенович Гершунский, Евгений Георгиевич Ранский. Переплет: художник В.С. Панферов.
(Москва: Издательство «Высшая школа», 1974)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan, 2025

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Введение (3).
Лабораторная работа №1. Снятие характеристик и определение параметров диода (7).
Лабораторная работа №2. Снятие характеристик и определение параметров триода (13).
Лабораторная работа №3. Снятие характеристик и определение параметров тетродов и пентодов (19).
Лабораторная работа №4. Снятие характеристик и определение параметров стабилитрона (25).
Лабораторная работа №5. Исследование свойств и снятие характеристик тиратрона (31).
Лабораторная работа №6. Снятие световых и вольтамперных характеристик фотоэлементов с внешним фотоэффектом и фоторезисторов (37).
Лабораторная работа №7. Изучение свойств, снятие характеристик и определение параметров терморезистора (45).
Лабораторная работа №8. Исследование варистора (52).
Лабораторная работа №9. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода (57).
Лабораторная работа №10. Исследование кремниевого стабилитрона (62).
Лабораторная работа №11. Снятие вольтамперной характеристики и определение параметров туннельного диода (67).
Лабораторная работа №12. Снятие характеристик и определение параметров транзистора по схеме с общей базой (72).
Лабораторная работа №13. Снятие характеристик и определение параметров транзистора по схеме с общим эмиттером (78).
Лабораторная работа №14. Снятие характеристик и определение параметров четырехслойного кремниевого переключающего диода (84).
Лабораторная работа №15. Снятие характеристик и определение параметров полевого транзистора (91).
Лабораторная работа №16. Исследование мостовой схемы полупроводникового выпрямителя (97).
Лабораторная работа №17. Исследование схем сглаживающих фильтров (102).
Лабораторная работа №18. Исследование лампового стабилизатора напряжения (108).
Лабораторная работа №19. Исследование полупроводникового стабилизатора напряжения (114).
Лабораторная работа №20. Исследование преобразователя напряжения на транзисторах (120).
Лабораторная работа №21. Исследование лампового усилителя напряжения на резисторах (124).
Лабораторная работа №22. Исследование схемы лампового усилителя мощности (129).
Лабораторная работа №23. Исследование схемы усилителя с отрицательной обратной связью (134).
Лабораторная работа №24. Исследование каскада предварительного усиления на транзисторе (139).
Лабораторная работа №25. Исследование однотактного выходного каскада транзисторного усилителя (144).
Лабораторная работа №26. Исследование двухтактного выходного каскада транзисторного усилителя (148).
Лабораторная работа №27. Исследование усилителя постоянного тока (153).
Лабораторная работа №28. Исследование свойств колебательных контуров (159).
Лабораторная работа №29. Исследование схемы избирательного усилителя (165).
Лабораторная работа №30. Исследование схемы генератора типа LC (169).
Лабораторная работа №31. Исследование схемы генератора типа RC (173).
Приложение I. Универсальный источник питания УИП-1 (178).
Приложение II. Вольтметр ВК7-9Б (180).
Приложение III. Электронный осциллограф С1-19Б (182).
Приложение IV. Осциллографирование вольтамперных характеристик электронных приборов (188).
Приложение V. Магазин сопротивлений типа РЗЗ (194).
Приложение VI. Генератор ГЗ-34 (194).
Приложение VII. Измеритель нелинейных искажений С6-1А (197).
Приложение VIII. Генератор Г4-18А (200).
Литература (225).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Учебное пособие предназначено для учащихся техникумов по различным радиотехническим и приборостроительным специальностям.
Для каждой из приведенных в пособии работ указаны цель работы, рекомендуемая литература, контрольные вопросы, описание схемы исследования, необходимая контрольно-измерительная аппаратура, порядок выполнения работы и структура отчета.
Пособие может быть использовано преподавателями техникумов для организации лабораторных практикумов по различным отраслям технической электроники.

▼

▲

Ⓐ ⒸГершунский Б.С... Справочник по основам электронной техники. [Djv-Fax-12.9M] [Pdf-Fax-12.9M] Издание 3-е, переработанное и дополненное. Авторы: Николай Михайлович Ващенко, Валерий Валентинович Власенко, Борис Семенович Гершунский, Альбина Васильевна Романовская. Редактор: Борис Семенович Гершунский. Переплет художника А.Ф. Морозова.
(Киев: Издательство при Киевском государственном университете издательского объединения «Вища школа», 1978)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan; доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2025

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
РАЗДЕЛ I. ЭЛЕКТРОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ.
Глава 1. Электронная эмиссия (5).
§1.1. Электроны в атоме (5).
§1.2. Работа выхода (8).
§1.3. Термоэлектронная эмиссия (11).
§1.4. Фотоэлектронная эмиссия (12).
§1.5. Вторичная электронная эмиссия (13).
§1.6. Электростатическая эмиссия (13).
Глава 2. Движение электронов в электрических и магнитных полях (14).
§2.1. Электрон в электрическом поле (14).
§2.2. Электрон в магнитном поле (17).
Глава 3. Электрический разряд в газе (18).
§3.1. Основные явления электрического разряда в газе (18).
§3.2. Вольт-амперная характеристика газового разряда (20).
§3.3. Характеристика основных видов газового разряда (21).
Глава 4. Электропроводность полупроводников (24).
§4.1. Основные особенности полупроводниковых материалов (24).
§4.2. Собственная проводимость полупроводника (26).
§4.3. Примесная проводимость полупроводника (27).
§4.4. Подвижность носителей заряда (28).
§4.5. Температурная зависимость проводимости полупроводников (29).
§4.6. Рекомбинационные процессы в полупроводниках (29).
§4.7. Электропроводность полупроводников в сильных электрических полях.
Эффект Ганна (31).
§4.8. Фотопроводимость (внутренний фотоэффект) (34).
§4.9. Тензорезистивный эффект (34).
§4.10. Термоэлектрические явления (35).
§4.11. Гальваномагнитные явления (37).
Глава 5. Электронно-дырочный переход (40).
§5.1. Образование p-n-перехода (40).
§5.2. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода (42).
§5.3. Температурные и частотные свойства p-n-перехода (44).
§5.4. Туннельный эффект (45).
§5.5. Фотогальванический эффект (47).
РАЗДЕЛ II. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ И ИОННЫЕ ПРИБОРЫ.
Глава 6. Электронные лампы (49).
§6.1. Классификация и система обозначений (49).
§6.2. Диод (52).
§6.3. Триоды (61).
§6.4. Тетроды (74).
§6.5. Лучевые тетроды (79).
§6.6. Пентоды (88).
§6.7. Специальные лампы (99).
Глава 7. Электронно-лучевые трубки (112).
§7.1. Классификация и система обозначений (112).
§7.2. Осциллографические трубки (114).
§7.3. Индикаторные трубки (121).
§7.4. Кинескопы (125).
§7.5. Запоминающие трубки (134).
§7.6. Передающие телевизионные трубки (136).
Глава 8. Ионные приборы (141).
§8.1. Классификация и система обозначений (141).
§8.2. Сигнальные индикаторы тлеющего разряда (143).
§8.3. Стабилитроны (147).
§8.4. Тиратроны тлеющего разряда (150).
§8.5. Декатроны (157).
§8.6. Знаковые индикаторы (162).
§8.7. Ионные разрядники (166).
§8.8. Газотроны (167).
§8.9. Тиратроны с накаленным катодом (172).
Глава 9. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом и фотоэлектронные умножители (178).
§9.1. Классификация и система обозначений (178).
§9.2. Вакуумные и газонаполненные фотоэлементы (179).
§9.3. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ) (188).
РАЗДЕЛ III. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ.
Глава 10. Полупроводниковые резисторы (195).
§10.1. Классификация и система обозначений (195).
§10.2. Терморезисторы с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (198).
§10.3. Позисторы (206).
§10.4. Фоторезисторы (210).
§10.5. Варисторы (216).
Глава 11. Полупроводниковые диоды (221).
§11.1. Классификация и система обозначений (221).
§11.2. Выпрямительные диоды (224).
§11.3. Стабилитроны (230).
§11.4. Высокочастотные диоды (240).
§11.5. Импульсные диоды (243).
§11.6. Сверхвысокочастотные диоды (248).
§11.7. Варикапы (257).
§11.8. Туннельные диоды (260).
§11.9. Тиристоры (265).
§11.10. Фотодиоды (275).
§11.11. Светодиоды (279).
Глава 12. Транзисторы (280).
§12.1. Классификация и система обозначений (280).
§12.2. Конструкция (282).
§12.3. Принцип работы (285).
§12.4. Схемы включения (289).
§12.5. Характеристики (291).
§12.6. Эквивалентные схемы и параметры (295).
§12.7. Применение (301).
§12:8. Полевые транзисторы (317).
§12.9. Однопереходный транзистор (двухбазовый диод) (324).
§12.10. Фототранзистор (327).
РАЗДЕЛ IV. ОСНОВЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.
Глава 13. Микромодули (330).
§13.1. Конструкция микромодулей (330).
§13.2. Микроэлементы (334).
§13.3. Основы конструирования микромодулей (343).
Глава 14. Гибридные интегральные схемы (345).
§14.1. Общие сведения (345).
§14.2. Пассивные элементы гибридных интегральных микросхем (345).
§14.3. Бескорпусные полупроводниковые приборы (351).
§14.4. Основы проектирования и технологии изготовления пленочных микросхем (353).
Глава 15. Полупроводниковые интегральные микросхемы (360).
§15.1. Конструктивно-технологические особенности (360).
§15.2. Компоненты полупроводниковых интегральных схем (362).
§15.3. Разработка топологии полупроводниковых интегральных схем (366).
§15.4. Большие интегральные схемы (БИС) (368).
§15.5. Функциональные устройства (369).
Глава 16. Применение интегральных микросхем (371).
§16.1. Система обозначений (371).
§16.2. Логические интегральные микросхемы (376).
§16.3. Аналоговые (линейные) интегральные микросхемы (386).
Список литературы (390).

ИЗ ИЗДАНИЯ: В справочнике в доступной форме излагаются физические основы работы и технические показатели наиболее типичных и распространенных электронных приборов, а также принципы построения простейших электронных схем.
Третье издание справочника дополнено материалом, относящимся к техническим средствам современной микроэлектроники. Обновлен материал, касающийся классификации электронных приборов, их условных графических обозначений и параметров.
Рассчитан на читателей, желающих получить первоначальные све дения, расширить и систематизировать свои знания в области технической электроники. Табл. 59. Ил. 406. Список лит.: 38 назв.

▼

▲

Ⓐ ⒸГершунский Б.С... Шахматы - школе. [Djv-Fax-62.9M] [Pdf-Fax-67.5M] Научно-популярное издание. Под редакцией Б.С. Гершунского, Н.В. Крогиуса, В.С. Хелемендика. Составители: Борис Семенович Гершунский, А.Я. Костьев. Авторы: Я.П. Алексеев, А.А. Барташников, Б.С. Гершунский, Е.Я. Гик, Э.Е. Гуфельд, Б.А. Злотник, А.Я. Костьев, Н.В. Крогиус, Е.М. Лазарев, А.С. Суэтин, М.М. Юдович. Фото Б.Г. Долматовского.
(Москва: Издательство «Педагогика», 1991)
Скан: AAW, обработка, формат Djv-Fax: pohorsky, 2009

СОДЕРЖАНИЕ:
К читателям (5).
Предисловие (6).
Раздел I. Увлекательный мир шахмат (9).
1. О социальном статусе шахмат (14).
2. Шахматы и педагогика (25).
Раздел II. Шахматный всеобуч в школе (43).
1. Уроки для начинающих (45).
2. Приемы шахматной игры (97).
3. Факультативные занятия (143).
4. Лекции для старшеклассников (200).
5. О детском шахматном творчестве (235).
Раздел III. Некоторые аспекты шахматной педагогики (257).
1. Как готовить шахматных педагогов (260).
2. Пути формирования интеллектуальных способностей школьников (268).
3. О красоте шахматного искусства: эмоции, интуиция, решения (284).
4. Педагогу о психологии игровых ситуаций (298).
5. Шахматы как средство обучения математике (307).
6. Шахматы и компьютеры (317).
7. Быстрые шахматы в школе: за и против (328).
Заключение (332).

ИЗ ИЗДАНИЯ: В книге рассматриваются возможности использования шахмат как эффективного средства обучения, развития и воспитания школьников.
Приведены методические рекомендации по организации шахматного всеобуча в школе, показаны пути ознакомления школьников, учителей, родителей с закономерностями шахматной игры, сочетающей в себе элементы науки, искусства и спорта.
Для широкого круга читателей.

▼

▲

Ⓐ ⒸГершунский Б.С. Основы электронной и полупроводниковой техники. [Djv-Fax- 9.2M] [Pdf-Fax- 7.4M] Учебное пособие для учащихся техникумов УССР. Издание 2-е исправленное и дополненное. Автор: Борис Семенович Гершунский. Художник: И.Н. Гуть
(Издательство Киевского университета, 1967)
Скан, обработка, формат Pdf-Fax: derevyaha, fire_varan; доработка, формат Pdf-Fax: звездочет, 2025

ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (3).
Введение (5).
РАЗДЕЛ I. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ.
Глава 1. ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕОРИИ (12).
1-1. Краткие сведения о строении атомов (12).
1-2. Физические свойства электронов (15).
1-3. Движение электронов в электрическом поле (16).
1-4. Работа выхода электронов. Электронная эмиссия (19).
1-5. Виды электронной эмиссии (20).
1-6. Основные свойства термокатодов (23).
1-7. Конструкция катодов (25).
Глава 2. ДВУХЭЛЕКТРОДНАЯ ЛАМПА (ДИОД) (27).
2-1. Конструкция и принцип работы диода (27).
2-2. Характеристики и параметры диодов (29).
2-3. Применение диодов (34).
2-4. Основные типы и маркировка диодов (36).
Глава 3. ТРЕХЭЛЕКТРОДНАЯ ЛАМПА (ТРИОД) (38).
3-1. Устройство и принцип работы триода (38).
3-2. Характеристики триода (40).
3-3. Параметры триода (43).
3-4. Динамические характеристики триода (47).
3-5. Крутизна динамической анодно-сеточной характеристики триода (51).
3-6. Работа триода в схеме усилителя. Динамический коэффициент усиления (52).
3-7. Типы и маркировка триодов (55).
3-8. Недостатки триодов (56).
Глава 4. МНОГОЭЛЕКТРОДНЫЕ ЛАМПЫ (57).
4-1. Устройство и принцип работы тетродов (57).
4-2. Характеристики и параметры тетродов. Динатронный эффект (59).
4-3. Пятиэлектродная лампа (пентод) (61).
4-4. Лучевой тетрод (65).
4-5. Основные типы тетродов и. пентодов (67).
4-6. Многосеточные и комбинированные лампы (67).
Глава 5. СХЕМЫ ПИТАНИЯ И РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЭЛЕКТРОННЫХ ЛАМП (69).
5-1. Схемы подачи анодного напряжения (69).
5-2. Схемы подачи напряжения на экранирующую сетку (72).
5-3. Схемы получения отрицательного сеточного смещения (73).
Глава 6. ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВЫЕ ТРУБКИ (76).
6-1. Назначение и устройство электронно-лучевых трубок (76).
6-2. Электронно-лучевая трубка с электростатическим управлением (77).
6-3. Запоминающие электронно-лучевые трубки (83).
Глава 7. ИОННЫЕ (ГАЗОРАЗРЯДНЫЕ) ПРИБОРЫ (84).
7-1. Электрический разряд в газах (84).
7-2. Ионные приборы с самостоятельным разрядом (89).
7-3. Ионные приборы с несамостоятельным разрядом (99).
Глава 8. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ (106).
8-1. Явление фотоэффекта (106).
8-2. Фотоэлементы с внешним фотоэффектом (108).
8-3. Характеристика и параметры фотоэлементов с внешним фотоэффектом (109).
8-4. Фотоэлектронные умножители (ФЭУ) (113).
8-5. Фотоэлементы с внутренним фотоэффектом (фоторезисторы) (114).
8-6. Вентильные фотоэлементы (с запирающим слоем) (117).
РАЗДЕЛ II. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕХНИКИ.
Глава 9. ОСНОВЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ТЕОРИИ (120).
9-1. Физические свойства полупроводников (120).
9-2. Виды проводимости полупроводников (122).
9-3. Электронно-дырочный переход (124).
9-4. Вольт-амперная характеристика перехода (126).
9-5. Температурные и частотные свойства p - n-перехода (128).
Глава 10. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ (129).
10-1. Устройство полупроводниковых диодов (129).
10-2. Основные параметры полупроводниковых диодов (131).
10-3. Кремниевые стабилитроны (132).
10-4. Туннельные диоды (133).
10-5. Фотодиоды (136).
10-6. Маркировка полупроводниковых диодов (137).
Глава 11. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ (ТРАНЗИСТОРЫ) (139).
11-1. Назначение и устройство полупроводниковых триодов (139).
11-2. Принцип работы транзистора (141).
11-3. Усилительные свойства транзистора (143).
11-4. Схемы включения транзисторов (146).
11-5. Эквивалентные схемы и параметры транзисторов (150).
11-6. Статические характеристики транзисторов (154).
11-7. Температурные и частотные свойства транзисторов (158).
11-8. Основные типы транзисторов (159).
11-9. Четырехслойные полупроводниковые приборы (162).
11 - 10. Фототранзисторы (165).
11 - 11. Маркировка транзисторов (166).
Глава 12. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ (167).
12-1. Варисторы (167).
12-2. Терморезисторы (168).
12-3. Ферриты (170).
РАЗДЕЛ III. ОСНОВНЫЕ УЗЛЫ ЭЛЕКТРОННОЙ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ АППАРАТУРЫ.
Глава 13. ВЫПРЯМИТЕЛИ И СТАБИЛИЗАТОРЫ (172).
13-1. Назначение и классификация выпрямителей (172).
13-2. Однополупериодные выпрямители (173).
13-3. Двухполупериодные выпрямители (177).
13-4. Схемы выпрямления с умножением напряжения (183).
13-5. Сглаживающие фильтры (184).
13-6. Основные типы стабилизаторов напряжения (187).
13-7. Электронные стабилизаторы напряжения постоянного тока (189).
13-8. Электромагнитные стабилизаторы переменного напряжения (193).
Глава 14. ЭЛЕКТРОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ (197).
14-1. Назначение и классификация усилителей (197).
14-2. Основные показатели работы усилителя (198).
Глава 15. УСИЛИТЕЛИ НАПРЯЖЕНИЯ (207).
15-1. Схемы ламповых усилителей напряжения (207).
15-2. Резистивный усилительный каскад (208).
15-3. Коэффициент усиления резистивного каскада на средних частотах (212).
15-4. Частотные искажения в резистивном усилительном каскаде (215).
15-5. Резонансные усилители напряжения (219).
Глава 16. ЛАМПОВЫЕ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ (222).
16-1. Требования, предъявляемые к усилителю мощности. Режимы работы ламп мощного каскада (222).
16-2. Однотактный каскад усиления мощности. Роль выходного трансформатора (224).
16-3. Двухтактный каскад усиления мощности (229).
16-4. Фазоинверсные схемы предоконечных каскадов (234).
16-5. Фазочувствительные усилители (236).
Глава 17. ОБРАТНАЯ СВЯЗЬ В УСИЛИТЕЛЯХ (238).
17-1. Назначение и виды обратной связи (238).
17-2. Схемы подачи напряжения отрицательной обратной связи (244).
17-3. Паразитные обратные связи и способы их устранения (247).
Глава 18. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА (250).
18-1. Назначение и область применения усилителей постоянного тока (250).
18-2. Усилители постоянного тока прямого усиления (250).
18-3. Повышение устойчивости усилителей постоянного тока (254).
18-4. Усилители постоянного тока с преобразованием (258).
Глава 19. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСИЛИТЕЛИ (259).
19-1. Основные особенности усилителей на транзисторах (259).
19-2. Каскады предварительного усиления на транзисторах (260).
19-3. Многокаскадные предварительные усилители на транзисторах (264).
19-4. Выходные каскады усилителей на транзисторах (267).
19-5. Усилители постоянного тока на транзисторах (275).
Глава 20. ЭЛЕКТРОННЫЕ АВТОГЕНЕРАТОРЫ СИНУСОИДАЛЬНЫХ КОЛЕБАНИЙ (276).
20-1. Общие сведения об электронных автогенераторах (276).
20-2. Автогенераторы типа LC (277).
20-3. Основные схемы ламповых автогенераторов типа LC (280).
20-4. Автогенераторы типа LC на транзисторах (282).
20-5. Автогенераторы типа RC (283).
Глава 21. ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА (286).
21-1. Назначение и типы переключающих устройств (286).
21-2. Принцип работы триггера на электронных лампах (288).
21-3. Симметричный триггер (289).
21-4. Методы запуска триггеров (292).
21-5. Применение триггера в электронных вычислительных машинах (295).
21-6. Транзисторы в триггерных схемах (297).
21-7. Анализ работы схемы симметричного триггера на транзисторах (299).
21-8. Варианты схем транзисторных триггеров (302).
21-9. Триггеры на магнитных элементах (305).
21 - 10. Параметрон (309).
Литература (314).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Учебное пособие составлено в соответствии с программой курса «Основы электронной и полупроводниковой техники» для техникумов по специальности «Электронные вычислительные машины, приборы и устройства».
Наряду с рассмотрением физической сущности явлений, происходящих в электронных и полупроводниковых приборах, в данной работе разбираются основные схемы электронной и полупроводниковой аппаратуры и принципы их расчета.
Книга может быть полезна учащимся техникумов смежных с радиоэлектроникой специальностей, а также техникам-радистам и электромеханикам, занимающимся конструированием и эксплуатацией различной электронной аппаратуры.

▼

▲

Ⓐ ⒸГершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. [Djv-Fax- 8.3M] [Pdf-Fax- 9.0M] Автор: Борис Семенович Гершунский.
(Киев: Издательство «Вища школа». Издательство при Киевском университете, 1983)
Скан, обработка, формат Djv-Fax: pohorsky, 2010-12

КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
Предисловие (6).
Раздел I. РАСЧЕТ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ.
Глава 1. Выпрямители (7).
Глава 2. Стабилизаторы постоянного напряжения (54).
Глава 3. Преобразователи постоянного напряжения (75).
Раздел II. РАСЧЕТ УСИЛИТЕЛЕЙ.
Глава 4. Усилители низкой частоты (90).
Глава 5. Расчет широкополосных усилителей (127).
Глава 6. Избирательные усилители (135).
Глава 7. Усилители постоянного тока (148).
Глава 8. Усилители на интегральных микросхемах (154).
Раздел III. РАСЧЕТ ГЕНЕРАТОРОВ.
Глава 9. Генераторы синусоидальных колебаний (186).
Глава 10. Генераторы импульсов (205).
Предметный указатель (234).

ИЗ ИЗДАНИЯ: Приведены сведения о расчете наиболее распространенных современных электронных схем на дискретных полупроводниковых элементах - источников питания электронной аппаратуры, усилителей и генераторов, а также о схемотехнических особенностях некоторых узлов на интегральных микросхемах. Изложены основные этапы проектирования современной электронной аппаратуры.
В отличие от имеющихся учебных пособий и справочников по расчету электронной аппаратуры содержание и структура данной книги ориентированы на последовательное ознакомление читателя с выбором типовой схемы проектируемого узла, методикой составления технического задания, проведением необходимых расчетных операций, практической оценкой полученных результатов.
Для широкого круга радиолюбителей. Будет полезен инженерно-техническим работникам, преподавателям, студентам, учащимся высших и средних специальных учебных заведений, профессионально-технических училищ, слушателям курсов повышения квалификации.