Татевос Мамиконович Агаханян
|
* Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы. (1983) Учебное пособие
* Агаханян Т.М. Линейные импульсные усилители. (1970) Монография
* Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. (1974)
* Агаханян Т.М. Электронные ключи и нелинейные импульсные усилители. (1966)
* Агаханян Т.М. Линейные импульсные усилители. (1970) Монография
* Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. (1974)
* Агаханян Т.М. Электронные ключи и нелинейные импульсные усилители. (1966)
ИЗ ИЗДАНИЯ: Рассмотрены особенности монолитных и гибридных интегральных микросхем (1$МС) и их элементов Дано описание основных ячеек аналоговых ИМС (повторителей напряжения, усилителей низкой частоты, видеоусилителей и др). Подробно рассмотрены операционные усилители общего и специального назначения Рассмотрены основные типы цифровых ИМС на биполярных и униполярных транзисторах и построенные на их основе триггерные системы Дано описание интегральных компараторов напряжений. Приведены монолитные и гибридные релаксационные ИМС. Для студентов вузов и аспирантов, специализирующихся по радиоэлектронике, приборостроению, автоматике, вычислительной технике. |
ИЗ ИЗДАНИЯ: Монография посвящена систематическому изложению основных вопросов теории и расчета транзисторных и ламповых схем линейных импульсных усилителей. Особое внимание уделено транзисторным усилителям. В книге излагается теория усилителей с обратной связью, на основе которой анализируются различные схемы импульсных усилителей. Рассматривается влияние температурной нестабильности и разброса параметров элементов схемы на режим каскадов и анализируются практические схемы стабилизации режима. Приводятся основные характеристики простейших каскадов в области средних, низших и высших частот. Дается анализ многокаскадных усилителей. Рассматриваются способы уменьшения искажений фронта и плоской вершины при помощи корректирующих элементов и цепей обратной связи. Указываются особенности выходных каскадов и рассматриваются методы увеличения выходного напряжения. Излагается методика полного электротехнического расчета импульсных усилителей. Книга рассчитана на инженерно-технических работников. Она может быть полезна студентам и аспирантам радиотехнических специальностей. |
ИЗ ИЗДАНИЯ: Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки. Рассматриваются принцип действия, статические, высокочастотные, импульсные характеристики и физические параметры биполярных и униполярных транзисторов, приводятся их эквивалентные схемы, учитывающие специфику расчета различных электронных устройств. Книга предназначена для аспирантов и студентов, специализирующихся по радиоэлектронике, автоматике, вычислительной технике. Она будет представлять интерес и для инженеров, занимающихся разработкой, производством и эксплуатацией радиоэлектронной аппаратуры. |
ИЗ ИЗДАНИЯ: Книга посвящена теории и расчету электронных ключей и нелинейных импульсных усилителей на транзисторах и лампах. Особое внимание уделено сравнительно мало освещенным в литературе транзисторным схемам. Анализируются статические и переходные характеристики ключевых схем на электронных приборах - на лампе, транзисторе и полупроводниковом диоде. Рассматриваются методы определения средних параметров ключевых элементов. Дается анализ и расчет диодных ограничителей амплитуды импульсов, транзисторных и ламповых усилителей-ограничителей. Рассматриваются схемы транзисторных усилителей с токоограничивающей цепью и нелинейной обратной связью. Освещаются вопросы теории и расчета ламповых и транзисторных схем, предназначенных для усиления и формирования кратковременных импульсов. Рассматриваются схемы регенеративных импульсных усилителей с трансформаторной обратной связью. Приводятся схемы усилителей-расширителей. Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся разработкой электронных приборов, элементов вычислительных устройств, вопросами телеметрии, автоматики, а также на студентов и аспирантов, специализирующихся по радиоэлектронике. |