«И» «ИЛИ»  
© Публичная Библиотека
 -  - 
Универсальная библиотека, портал создателей электронных книг. Только для некоммерческого использования!
Реньян В.Р.
.

В.Р. Реньян 66k

(W.R. Runyan)

()

.
.
  • Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния. (Technology Semiconductor Silicon) [Djv-10.5M] Перевод с английского Туровского Б.М., Нашельского А.Я., Шушлебиной Н.Я., Баташева В.И. и Королькова А.Г. Под редакцией Шашкова Ю.М.
    (Москва: Издательство «Металлургия», 1969)
    Скан, обработка, формат Djv: ???, предоставил: Михаил, 2013
    • КРАТКОЕ ОГЛАВЛЕНИЕ:
      Предисловие автора (5).
      Глава I. Историческая справка (7).
      Глава II. Методы получения полупроводникового кремния (12).
      Глава III. Литье кремния (28).
      Глава IV. Выращивание кристаллов (44).
      Глава V. Ориентировка и форма кристаллов (115).
      Глава VI. Легирование (139).
      Глава VII. Диффузия (157).
      Глава VIII. Электрические свойства (218).
      Глава IX. Оптические свойства (239).
      Глава X. Общие физические свойства и механическая обработка кремния (267).
      Глава XI. Поведение примесей в кремнии (290).
Аннотация издательства: Приводится большой материал по физико-химическим, электрическим, оптическим и механическим свойствам кремния, технологическим процессам получения кремния (химическим методам получения кремния, выращиванию монокристаллов и пленок, легированию) и его использованию (приготовлению оптических элементов, диффузии, резки и т.д.).
Предназначается для инженеров, конструкторов, проектировщиков металлургической и электронной промышленности. Может быть полезна студентам и аспирантам, специализирующимся в области получения и использования кремния.
.