 И. Аут, Д. Генцов, К. Герман
 Фотоэлектрические явления
 Перевод с немецкого А.Н. Темчина под редакцией В.Л. Бонч-Бруевича
 Москва: Издательство «Мир», 1980

 J. Auth, D. Genzow, K.H. Herrmann
 Photoelektrische erscheinungen
 Akademie-Verlag Berlin 1977

 УДК 535.215

 В книге кратко и вместе с тем достаточно ясно излагаются основы теории фотоэлектрических явлений в полупроводниках. Описаны также свойства важнейших полупроводниковых материалов и фотоэлектрические полупроводниковые элементы схем.
 Рассчитана на научных работников, инженеров и студентов, интересующихся физикой полупроводников и вопросами их практического применения.

 Редакция литературы по физике

 ОГЛАВЛЕНИЕ:
 Предисловие редактора перевода (5).
 Предисловие к русскому изданию (7).
 Предисловие (8).
 Глава 1. Введение (9).
 1.1. Обзор и постановка проблемы (10).
 1.2. Оптическое возбуждение неравновесных носителей заряда (14).
 Глава 2. Фотопроводник при однородном возбуждении (24).
 2.1. Время жизни неравновесных носителей заряда (24).
 2.2. Рекомбинация неравновесных носителей заряда (27).
 2.3. Примесная фотопроводимость (47).
 2.4. Поверхностная рекомбинация (50).
 Глава 3. Диффузия и дрейф носителей заряда (53).
 3.1. Уравнение баланса (53).
 3.2. Решения уравнения баланса для некоторых частных случаев (56).
 3.3. Внутренний фотоэффект (62).
 3.4. Рост и затухание неравновесной концентрации при неоднородной генерации (74).
 Глава 4. Фотоэффекты в неоднородных полупроводниках (77).
 4.1. Фотонапряжение на неоднородностях концентрации примеси (78).
 4.2. Фотоэффект на p-n-переходе (82).
 4.3. Фотоэффект в варизонных полупроводниках (89).
 4.4. Поверхностный фотоэффект (91).
 4.5. Другие фотоэлектрические явления (92).
 Глава 5. Элементарные рекомбинационные процессы (94).
 5.1. Излучательная рекомбинация (96).
 5.2. Ударная рекомбинация (108).
 5.3. Рекомбинация с передачей энергии тепловыми колебаниями решетки (119).
 5.4. К сопоставлению механизмов рекомбинации (129).
 Глава 6. Фотоэлектрические явления, связанные с нагревом электронов (131).
 6.1. Фотоэлектрические явления при неравновесном распределении носителей заряда по энергии (132).
 6.2. Эффект увлечения электронов фотонами (139).
 Глава 7. Фотоэффекты при высоком уровне возбуждения (148).
 7.1. Экспериментальные методы (150).
 7.2. Экспериментальные данные и их интерпретация (154).
 7.3. Нелинейные оптические эффекты, наблюдаемые при исследовании фотопроводимости в поле лазерного излучения (158).
 Глава 8. Полупроводниковые материалы для приемников излучения (161).
 8.1. Широкозонные полупроводники типа АІI ВVI (161).
 8.2. Германий, кремний и другие вещества со сравнимой шириной запрещенной зоны (164).
 8.3. Полупроводники с узкой запрещенной зоной (170).
 Глава 9. Фотоэлектрические полупроводниковые приборы (174).
 9.1. Характеристики полупроводниковых приемников излучения (175).
 9.2. Фотосопротивления (178).
 9.3. Фотодиоды (183).
 9.4. Фотодиоды с внутренним усилением (192).
 9.5. ФЭМ-приемники (195).
 9.6. Фотоприемники, основанные на явлениях, возникающих при неравновесном распределении носителей заряда (196).
 9.7. Фотоприемники как элементы схем (198).
 Литература (199).

 И. Аут, Д. Генцов, К. Герман
 ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ